PESQUISA LAM Usada

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LAM 9600 COM DETECÇÃO DE PONTO FINAL DA LAM
FABRICANTE: LAM RESEARCH
Modelo: 9600

Descrição:
O Lam 9600 destina-se a gravar camadas de metal de alumínio e TiW com paredes laterais altamente verticais adequadas para largura de linha de 0,35 um. O plasma é um plasma acoplado a transformador de média-alta densidade, semelhante às fontes ICP, permitindo o controle separado da potência da bobina (eletrodo superior} e potência da placa (eletrodo inferior). gás traseiro
fornece acoplamento. A química C12/BC13 é usada para Al e SF6 para camadas de TiW. A etapa de gravação de TiW e passivação de Cl (também usando SF6} pode ser feita na eclusa de saída ou na câmara principal. Espera-se que a química de Cl seja eficaz em camadas de AI203, bem como trincheiras de silício com rebaixo mínimo.

Principais Características e Acessórios:
Gases de processo: CI2, BCI3, HBr, SF6, CF4, Ar, N2, 02, He. Pressão do processo 0-100 mTorr, potência do eletrodo superior 0 - 125OW, potência do eletrodo inferior 0-1200W. Temperatura do processo 55°C. Monocromador ajustável é usado para detecção de ponto final. Ele é equipado com um módulo de tira de quartzo de fonte desacoplada (DSQ) para remover (retirar) o fotorresistente dos wafers. O processo DSQ reduz drasticamente a probabilidade de contaminação de partículas e aumenta a eficiência do processo de tiras.

Especificações principais:

Receita padrão 600/601 para gravação de IA:

Taxa de gravação: 800 nm/min,

Taxa de gravação fotorresistente: 400nm/min,

Receita padrão 640 para gravação AI203:

Taxa de gravação: 100-120nm/min

Tamanho do substrato:

150 milímetros de diâmetro

Materiais permitidos:

AI, AI203, Ti02, poli Si, Nb e uma variedade de nitretos podem ser gravados usando CI-química

Materiais proibidos:

Materiais não compatíveis com IC

Inclui: (1) Lam Modelo #9600 4400

À venda: Lam Modelo #9600's 4400. Vendendo "como está, onde está". Não temos a capacidade de testar todos os equipamentos. Este sistema foi desinstalado em condições operacionais e de trabalho.

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