DYNATEX INTERNATIONAL DX-III usado

Descrição do anúncio

Equipamento: DISJUNTOR DE ESCRITÓRIOS

Local: Na fábrica

Aplicação: Escrita

◆ BENEFÍCIOS DO PRODUTO:

A perda de corte zero permite maior densidade de matriz no wafer

Taxas de produção aumentadas

Resultados sem fichas

Menos tensão residual

Sem descarga de água tóxica

Sem DI custos de água

Mais imóveis; larguras de rua mais estreitas

◆ CARACTERÍSTICAS DO PRODUTO:

Automático

Capaz de riscar e quebrar completamente e automaticamente muitos materiais de substrato

Custo-beneficio

- A integração do sistema permite fácil conexão e transporte
- Rendimento superior e maior eficiência
- Redução do tempo de produção

Ambiental

Sem DI ou águas residuais tóxicas

Versátil

- Totalmente programável para todos os parâmetros de gravação e quebra, incluindo TrueAngle™
ferramenta de posicionamento de diamante
- Infinitamente programável com interface Pentium™ powered Windows™

Fácil

Poucos ajustes do operador são necessários ao alternar entre os tipos de wafer

◆ ESPECIFICAÇÕES:

Tamanho da Bolacha:

150 mm máx. (6 polegadas máx.)

Índice Mínimo de Wafer:

5 um com Std. Codificadores; 1 um com alta resolução opcional. Codificadores

Índice Máximo de Wafer:

150 mm

Método de pausa:

Barra de impulso patenteada

Sistema de visão:

Digital contrata câmera BW/Color; Monitor colorido de 17"; Sistema de reconhecimento de padrão para alinhamento automático, detecção de borda e correção automática de passos

Programável:

Vida útil da ferramenta Scribe; Ângulo de Escriba; Escriba
Velocidade de Aproximação; Força Escriba; Velocidade do Escriba
Extensão do Escriba; Força de quebra; Matriz Múltipla
Tamanho; Armazenamento Fiducial de Imagens; Tipo e Perfil de Wafer; Armazenamento de vários perfis de Wafer. (Perfis programáveis em unidades métricas ou imperiais.)

Montagem da bolacha:

Padrão: Estruturas de serra de metal (wafers máximos de 6" - FF105/DY-NFR-007 e FF108/DY-WFR-001; wafers máximos de 4" - aros de 6" e aros de 7")

Substratos:

GaAs, LiNbO3, Vidro, InP, GaP, Silício, Quartzo

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